LEEM-V

仕様：

    イメージングモード：明、暗視野 LEEM 、ミラーイメージ、熱電子イメージング、光電子イメージング

    空間分解能：＜８ nm( 保証 ) 、 4.9nm 可能 (16/84% criteria)
    サンプルの電子エネルギー： -5 to 500 eV
    視野 : 1 - 70 μm (up to 100 μm in PEEM mode)
    拡大率 : 570 - 40000
    ベース真空度 : < 2 x 10 -10 Torr
    試料温度：室温から 1800K （短時間の 2000K フラッシング可能）

システム詳細

    電子ビーム照射システム：
        熱陰極 LaB 6 電子銃 (Schottky field emitter optional)
        磁場型コンデンサーレンズ
        磁場型偏向コイル
        磁場型収差調整 stigmator
        電子ビーム照射アパチャー（三種類）
    90° 磁場型電子ビーム分離
    磁場型対物レンズ（偏向 , 収差調整レンズおよび転送 光学系 付き）
    超高真空チャンバー

    マニピュレーター： XYZ （ XY=±4 mm 、 Z=50mm ）三方向駆動とチルト（ ±2° ）二方向調整。交換可 能なサンプルカートリッジ（電子衝撃加熱、 W/Re 熱電対温度測定）
    結像システム：磁場型レンズ、偏向コイル、収差調整レンズ
    コントラストアパチャー駆動機構（三種類のアパチャー）
    電子増幅板 MCP 、蛍光板
    高感度 CCD カメラーと制御ソフトウェア
    試料準備室、エアロック室、試料搬送機構
    紫外線光源
    電源ラック、計測パソコン、関連ソフトウェア
    イオンポンプ三台、ターボポンプ一台、ドライポンプ一台、チタンポンプ二台、ベーク可能バルブ、イオンゲージ三 台、 TC ゲージ一台、ベーク用ヒーターとテント
    簡易型蒸着源一台
    オプション :
    残留ガス検出器、イオン銃

LEEM-III はエネルギーアナライザー及びスピンガンの装着が可能で、分光イメージングとスピン偏極イメージングが可能。