スピン偏極電子銃

性能

    GaAs カソード室のベース真空 : <1x10 -10 Torr
    スピン偏極源 : GaAs （ Zn doped ）
    活性化要素 : Cs, O 2
    電子エネルギー : 20 kV
    照射光源 : 30 mW Diode Laser,780 nm with circular polarizer and focusing lenses
    放射電流 : 1 μA
    コンデンサー中の偏極角度 : 180 deg.
    セクター中の偏極角度 : 0.90 deg. vs. beam axis, in sector plane
    普通照射源 : thermal LaB 6
    標準電流 : 1 μA
    偏極度：２７％