PEEM-III

仕様

• イメージングモード：熱電子イメージング、光電子イメージング
• 空間分解能：＜ 15nm （保証）、 8.2nm 可能 (16/84% criteria)
• 視野 : 2 - 170 μm
• ベース真空度 : < 2 x 10 -10 Torr
• 試料温度：室温から 1800K （短時間の 2000K フラッシング可能）

システム詳細

• 磁場型対物レンズ（偏向と収差調整レンズ付き）
• 超高真空チャンバー
• マニピュレーター： XYZ （ XY=±4 mm 、 Z=50mm ）三方向駆動とチルト（ ±2° ）二方向調整。交換可能な サンプルカートリッジ（電子衝撃加熱、 W/Re 熱電対温度測定）
• 結像システム：磁場型レンズ、偏向コイル、収差調整レンズ
• コントラストアパチャー駆動機構（三種類のアパチャー）
• 電子増幅板 MCP 、蛍光板
• 高感度 CCD カメラーと制御ソフトウェア
• 紫外線光源
• 電源ラック、計測パソコン、関連ソフトウェア
• イオンポンプ三台、ターボポンプ一台、ドライポンプ一台、チタンポンプ二台、ベーク可能バルブ、イオンゲ ージ二台、 TC ゲージ一台、ベーク用ヒーターとテント
• 簡易型蒸着源一台
• オプション : 
  試料準備室、残留ガス検出器、イオン銃

Cu/Mo(110)

image of etched pits in a Si (001) wafer